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氮化鎵晶片GaN
北京特博萬德供應純GaN氮化鎵晶片。
尺寸10*10.5mm,更大尺寸也可供應。
GaN氮化鎵晶片常用于發光二極管的二元III / V直接帶隙半導體。該化合物是一種非常堅硬的材料，具有纖鋅礦晶體結構。其3.4 eV的寬帶隙為光電，高功率和高頻器件的應用提供了特殊的性能。例如，GaN是使紫色（405nm）激光二極管成為可能的基板，而不使用非線性光學倍頻。它對電離輻射的敏感性很低（與其他III族氮化物一樣），使其成為衛星太陽能電池陣列的合適材料。由于設備在輻射環境中表現出穩定性，因此軍事和太空應用也可能受益。由于GaN晶體管可以在更高的溫度下工作，并且工作電壓比砷化鎵（GaAs）晶體管高得多，因此它們可以在微波頻率下制造理想的功率放大器。此外，GaN為THz器件提供了有前景的特性。
北京特博萬德供應純GaN氮化鎵晶片。
尺寸10*10.5mm,更大尺寸也可供應。
GaN氮化鎵晶片常用于發光二極管的二元III / V直接帶隙半導體。該化合物是一種非常堅硬的材料，具有纖鋅礦晶體結構。其3.4 eV的寬帶隙為光電，高功率和高頻器件的應用提供了特殊的性能。例如，GaN是使紫色（405nm）激光二極管成為可能的基板，而不使用非線性光學倍頻。它對電離輻射的敏感性很低（與其他III族氮化物一樣），使其成為衛星太陽能電池陣列的合適材料。由于設備在輻射環境中表現出穩定性，因此軍事和太空應用也可能受益。由于GaN晶體管可以在更高的溫度下工作，并且工作電壓比砷化鎵（GaAs）晶體管高得多，因此它們可以在微波頻率下制造理想的功率放大器。此外，GaN為THz器件提供了有前景的特性。
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Conduct Type |
Semi-Insulating |
N |
N |
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Type/Dopant |
Fe |
Ge |
Undoped |
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Size |
10*10.5 mm，50.8± 0.1 mm |
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Orientation |
C-plane (0001) off angle toward M-Axis0.35°±0.15° |
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Total Thickness |
350 ± 25 μm |
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Surface front |
Polished |
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OF location/length |
(1-100) ± 0.5°/16.0 ± 1.0 mm |
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IF location/length |
(11-20) ± 3°/ 8.0 ± 1.0 mm |
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Resistivity（300K） |
>1E6 ohm·cm |
<0.05 ?·cm |
<0.5 ?·cm |
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EPD |
(1~9)E5/ cm2 |
5E5~3E6/ cm2 |
（1~3）E6/ cm2 |
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Ingot CC |
>6E16/cm3 |
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Ra(nm) |
Front surface Ra<0.2nm |
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TTV(um) |
<15 |
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BOW(um) |
<20 |
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Warp(um) |
<20 |
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Epi-ready |
Yes |
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Package |
Single in 100 class room |
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