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砷化鎵晶片GaAs
北京特博萬德科技有限公司專業生產定制高質量砷化鎵襯底片GaAs wafer、多晶棒。
尺寸：1 " ，2" ，3"，4"，6" ； 晶向：（100）,（111）和偏2°、4°、6°、10°、16°等各種偏角； 類型：N- type 摻Si， P- type 摻Zn，半絕緣Undope； 厚度：100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um；
提供“激光領域” 用高質量 超薄雙拋GaAs ；提供光學透過可用的雙拋半絕緣GaAs ； 提供高質量低位錯的EPD<500、<300、<100、＜50 的高質量LD級外延用GaAs； 工藝加工：鍍增透膜、鍍金等歐姆接觸、砷化鎵電池、砷化鎵外延（PN結、LED各色外延、LD激光器）。
北京特博萬德科技有限公司專業生產定制高質量砷化鎵襯底片GaAs wafer、多晶棒。 尺寸：1 " ，2" ，3"，4"，6" ； 晶向：（100）,（111）和偏2°、4°、6°、10°、16°等各種偏角； 類型：N- type 摻Si， P- type 摻Zn，半絕緣Undope； 厚度：100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um；
提供“激光領域” 用高質量 超薄雙拋GaAs ；提供光學透過可用的雙拋半絕緣GaAs ； 提供高質量低位錯的EPD<500、<300、<100、＜50 的高質量LD級外延用GaAs； 工藝加工：鍍增透膜、鍍金等歐姆接觸、砷化鎵電池、砷化鎵外延（PN結、LED各色外延、LD激光器）。
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Parameter |
Guaranteed / Actual Values |
UOM |
Parameter |
Guaranteed / Actual Values |
UOM |
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|
Growth Method: |
VGF |
|
Growth Method: |
VGF |
|
||
|
Conduct Type: |
S-I-N |
|
Conduct Type: |
S-I-N |
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||
|
Dopant: |
Undoped |
|
Dopant: |
Undoped |
|
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|
Diameter: |
50.7± 0.1 |
mm |
Diameter: |
100.0± 0.2 |
mm |
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|
Orientation: |
(100)± 0.50 |
|
Orientation: |
(100)± 0.30 |
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|
OF location/length: |
EJ [ 0-1-1]± 0.50/16±1 |
|
OF location/length: |
EJ [ 0-1-1]± 0.50/32.5±1 |
|
||
|
IF location/length: |
EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/7±1 |
|
IF location/length: |
EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/18±1 |
|
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|
Resistivity: |
Min: 1.0 E8 |
Max: 2.2 E8 |
?·cm |
Resistivity: |
Min: 1.5 E8 |
Max: 2.0 E8 |
?·cm |
|
Mobility: |
Min: 4500 |
Max: 5482 |
cm2/v.s |
Mobility: |
Min: 4832 |
Max: 4979 |
cm2/v.s |
|
EPD: |
Min: 700 |
Max: 800 |
/ cm2 |
EPD: |
Min: 600 |
Max: 700 |
/ cm2 |
|
Thickness: |
350± 20 |
μm |
Thickness: |
625± 25 |
μm |
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|
Edge Rounding: |
0.25 |
mmR |
Edge Rounding: |
0.375 |
mmR |
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|
Laser Marking: |
N/A |
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|
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|
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|
TTV/TIR: |
Max: 10 |
μm |
TTV/TIR: |
Max: 3 |
μm |
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|
BOW: |
Max: 10 |
μm |
BOW: |
Max: 4 |
μm |
||
|
Warp: |
Max: 10 |
μm |
Warp: |
Max: 5 |
μm |
||
|
Partical Count: |
＜50/wafer(for particle>0.3um) |
|
Partical Count: |
＜100/wafer(for particle>0.3um) |
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|
Surface Finish– front: |
Polished |
|
Surface Finish– front: |
Polished |
|
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|
Surface Finish –back: |
Etched |
|
Surface Finish –back: |
Polished |
|
||
|
Epi-Ready: |
Yes |
|
Epi-Ready: |
Yes |
|
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|
Parameter |
Actual Values |
UOM |
Parameter |
Guaranteed / Actual Values |
UOM |
|
Growth Method |
VGF |
|
Growth Method |
VGF |
|
|
Conduct Type |
S-C-N |
|
Conduct Type |
S-C-P |
|
|
Dopant |
GaAs-Si |
|
Dopant |
GaAs-Zn |
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|
Diameter |
50.7± 0.1 |
mm |
Diameter |
76.2± 0.3 |
mm |
|
Orientation |
(100) 20 ± 0.50 off toward(011) |
|
Orientation |
(100)± 0.50 |
|
|
OF location/length |
EJ [ 0-1-1]± 0.50/16±1 |
|
OF location/length |
EJ [ 0-1-1]± 0.50/22±1 |
|
|
IF location/length |
EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/ 7±1 |
|
IF location/length |
EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/12±1 |
|
|
Ingot CC |
Min: 0.518 E Max: 1.7 E+18 |
/cm3 |
Ingot CC |
Min: 5.1 E+19 Max: 5.8 E+19 |
/cm3 |
|
Resistivity |
Min: 1.9 E-3 Max:6.1E-3 |
?·cm |
Resistivity |
Min: N/A |
?·cm |
|
Mobility |
Min: 1913 Max:2616 |
cm2/v.s |
Mobility |
Min: 71 Max: 72 |
cm2/v.s |
|
EPD |
Min:50 Max: 100 |
/ cm2 |
EPD |
Min: 600 Max: 800 |
/cm2 |
|
Thickness |
350±20 |
μm |
Thickness |
625±20 |
μm |
|
Edge Rounding |
0.25 |
mmR |
Edge Rounding |
0.25 |
mmR |
|
Laser Marking |
N/A |
|
Laser Marking |
Front side |
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|
TTV |
＜10 |
μm |
TTV |
＜ 15 |
μm |
|
TIR |
＜10 |
μm |
TIR |
＜ 15 |
μm |
|
BOW |
＜10 |
μm |
BOW |
＜ 15 |
μm |
|
Warp |
＜10 |
μm |
Warp |
＜ 15 |
μm |
|
Surface Finish– front |
Polished |
|
Surface Finish– front |
Polished |
|
|
Surface Finish –back |
Etched |
|
Surface Finish –back |
Polished |
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Partical Count |
＜50/ wafer （for particle＞ 0.3μm) |
|
Partical Count |
＜50/ wafer （for particle＞ 0.3μm2) |
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Epi-Ready |
Yes |
|
Epi-Ready |
Yes |
|